近期集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域一起中美合資合作項目，引發(fā)了業(yè)內(nèi)對中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展如何創(chuàng)新發(fā)展的討論。
一部分不雅觀點認(rèn)為引進(jìn)外資會對國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)帶來巨大沖擊，呼吁政府部門采取手段掩護(hù)已有的產(chǎn)業(yè)成果;另一部分不雅觀點則持開放態(tài)度，認(rèn)為“一花獨放不是春”，在中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中應(yīng)該互通有無、優(yōu)勢互補，在公平競爭中實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。
如何看待我國集成電路產(chǎn)業(yè)自主可控發(fā)展過程的開放合作與公平競爭、引進(jìn)消化與自主創(chuàng)新之間的關(guān)系，成為人們關(guān)注的問題。
引起討論的是什么項目?
資料顯示， 2017 年 5 月，大唐電信、聯(lián)芯科技、建廣資產(chǎn)、智路本錢等國內(nèi)企業(yè)與美國高通公司頒布頒發(fā)合資設(shè)立瓴盛科技，聚焦消費類手機(jī)市場，通過有效整合各方資源提升產(chǎn)品競爭力及影響力。
該項目合資項目中，大唐電信集團(tuán)是中國移動通信領(lǐng)域的國家隊，主導(dǎo)了TD-LTE4G國際移動通信尺度，擁有TD-LTE核心技術(shù)專利，聯(lián)合三家主要單位申報的“第四代移動通信系統(tǒng)(TD-LTE)關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”項目榮獲“ 2016 年度國家科技進(jìn)步特等獎”。
聯(lián)芯科技是大唐電信集團(tuán)旗下手機(jī)通信芯片企業(yè)，多年來基于對中國客戶需求的理解，積累了重要的研發(fā)人才;
建廣資產(chǎn)和智路本錢多年來積極布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的中國本錢，控股企業(yè)產(chǎn)品覆蓋通信、汽車電子、消費、工業(yè)等領(lǐng)域，是鞭策國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量之一。
高通則是全球移動通信領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先者，是移動互聯(lián)網(wǎng)時代全球最頂尖的半導(dǎo)體芯片廠商。
在這一項目中，中方控股占76%。就是這樣一起市場化的合資合作項目，引起了前述對集成電路產(chǎn)業(yè)開放合作、公平競爭與自主創(chuàng)新的大討論。
核心技術(shù)差距明顯，仍處學(xué)習(xí)和跟進(jìn)階段
雖然我國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模多年位居世界第一，但主要以整機(jī)制造為主，集成電路、半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)和歐美企業(yè)比擬還存在較大差距。以智能終端為例，我國智能終端產(chǎn)業(yè)在核心芯片、關(guān)鍵器件領(lǐng)域面臨長期挑戰(zhàn)。當(dāng)前國內(nèi)智能終端關(guān)鍵元器件產(chǎn)業(yè)整體處于研發(fā)跟進(jìn)的發(fā)展階段，主流廠商旗艦機(jī)及高端款型在上游環(huán)節(jié)偏重于高通、美光、MTK、三星、SK海力士、索尼、新思、FPC等國際大廠，進(jìn)而導(dǎo)致硬件配置趨同、整機(jī)同質(zhì)化競爭嚴(yán)重。
為此國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)奮起直追，近年來也取得可喜的成果。緊抓4G發(fā)展浪潮實現(xiàn)技術(shù)水平的進(jìn)一步提升，聯(lián)芯科技在國內(nèi)率先推出4GTD-LTE智能終端芯片，并成功實現(xiàn)千萬級商用;華為海思基于臺積電16nmFinFET工藝設(shè)計的麒麟950/ 955 在自有高端機(jī)型Mate8、P9 中得到應(yīng)用，且能夠支持LTEcat12、cat13UL網(wǎng)絡(luò)尺度; 2017 年 2 月展訊推出首款采用Intel架構(gòu)的14nm8 核 64 位中高端智能手機(jī)芯片平臺SC9861。
盡管如此，我國終端芯片企業(yè)與國際領(lǐng)先企業(yè)仍存在不小差距。目前，國際上終端芯片領(lǐng)域多模多頻、自研架構(gòu)和高工藝高集成設(shè)計成為業(yè)界共同發(fā)展標(biāo)的目的。高通依然是領(lǐng)先技術(shù)水平的代表，其新一代移動平臺驍龍 835 采用三星10nmFinFET工藝，基于高通迄今為止功效最出色的CPU架構(gòu)kryo280，最高主頻可達(dá)2.45GHz，集成X16LTE的調(diào)制解調(diào)器可支持高達(dá)千兆級的連接;三星緊隨其后，通過自有14nmFinFET工藝和自研 64 位架構(gòu)Mongoose的結(jié)合，提升了Exynos8 芯片的高端化水平;MTK則以高性價比為主，最新的HelioX30 平臺基于臺積電10nm工藝。
所以，我們需要清醒的認(rèn)識到，現(xiàn)階段從核心人才到基礎(chǔ)技術(shù)，我們?nèi)蕴幱趯W(xué)習(xí)和跟進(jìn)的階段。
中方主導(dǎo)、合資合作是符合國情的創(chuàng)新之路
集成電路產(chǎn)業(yè)是一個國際化、全球化產(chǎn)業(yè)，沒有單一國家可閉關(guān)鎖國，自成體系。在集成電路設(shè)計領(lǐng)域，當(dāng)前我國企業(yè)(包孕展訊和聯(lián)芯等)的手機(jī)芯片設(shè)計主要是在跨國企業(yè)的核心技術(shù)(如ARM的CPU授權(quán)、Candence公司的EDA工具技術(shù)授權(quán))基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)品層面的自主研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新。
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，國內(nèi)晶圓制造技術(shù)落后于世界領(lǐng)先水平達(dá) 2 代;集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)仍待優(yōu)化，缺乏有規(guī)模的設(shè)計制造整合(IDM)企業(yè)。我國的半導(dǎo)體制造業(yè)，雖然材料、設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入一些大的foundry，但很多還沒有能力大規(guī)模參與前沿制程的實現(xiàn)，至今還無法完全脫離海外材料、海外設(shè)備，工藝上更要借力人家的基礎(chǔ)。
所以，現(xiàn)階段談我國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，不是一個某技術(shù)節(jié)點的問題，很多突破遠(yuǎn)非單個企業(yè)所能為，更不能脫離開放合作談自主創(chuàng)新，因為懼怕競爭而拒絕外來合作進(jìn)行創(chuàng)新。
