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連云港不封號(hào)電銷(xiāo)卡辦理

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研究工作中,付英雙團(tuán)隊(duì)利用分子束外延方法在石墨烯襯底上精確制備了單層1T-NbSe2薄膜,并通過(guò)掃描隧道顯微鏡(STM)及其譜學(xué)表征技術(shù)對(duì)單層1T-NbSe2薄膜的表面形貌和電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行了系統(tǒng)研究。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),77 K時(shí)SD絕大多數(shù)表現(xiàn)為“亮”中心結(jié)構(gòu),同時(shí)有少部分主要集中于薄膜邊界的SD呈現(xiàn)“暗”中心結(jié)構(gòu)。這兩種SD在電子結(jié)構(gòu)上的差異體現(xiàn)在亮SD中心有一個(gè)位于160 mV處的峰。這個(gè)峰在暗SD中心消失。

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